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: 如何區(qū)別快速溫度變化試驗(yàn)箱和冷熱沖擊試驗(yàn)箱

瑞凱儀器研發(fā)生產(chǎn)可靠性環(huán)境試驗(yàn)箱已有20余年，與客戶溝通時(shí)發(fā)現(xiàn)客戶對(duì)冷熱沖擊試驗(yàn)箱和快速溫變?cè)囼?yàn)箱的區(qū)分比較模糊，客戶在評(píng)定試驗(yàn)方法采用哪種設(shè)備的時(shí)候，不知道如何選購(gòu)，下面就兩種設(shè)備的區(qū)別做下簡(jiǎn)單介紹供廣大用戶參考。

: PCT高壓加速老化試驗(yàn)箱試驗(yàn)方法及試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

PCT高壓加速老化試驗(yàn)一般稱為壓力鍋蒸煮試驗(yàn)或是飽和蒸汽試驗(yàn)，最主要是將待測(cè)品置于嚴(yán)苛之溫度、飽和濕度（100%R.H.）[飽和水蒸氣]及壓力環(huán)境下測(cè)試，測(cè)試代測(cè)品耐高濕能力，針對(duì)印刷線路板（PCB&FPC），用來(lái)進(jìn)行材料吸濕率試驗(yàn)、高壓蒸煮試驗(yàn)..等試驗(yàn)?zāi)康?，如果待測(cè)品是半導(dǎo)體的話，則用來(lái)測(cè)試半導(dǎo)體封裝之抗?jié)駳饽芰Γ郎y(cè)品被放置嚴(yán)苛的溫濕度以及壓力環(huán)境下測(cè)試，如果半導(dǎo)體封裝的不好，濕氣會(huì)沿者膠體或膠體與導(dǎo)線架之接口滲入封裝體之中，常見的故裝原因：爆米花效應(yīng)、動(dòng)金屬化區(qū)域腐蝕造成之?dāng)嗦贰⒎庋b體引腳間因污染造成之短路等相關(guān)問(wèn)題。

: 認(rèn)識(shí)“紫外線老化試驗(yàn)箱”都有哪些參照標(biāo)準(zhǔn)

紫外老化試驗(yàn)箱適用于非金屬材料的耐陽(yáng)光和人工光源的老化試驗(yàn)。源采用8只額定功率為40W的紫外熒光燈作發(fā)光源。紫外線熒光燈管，分布在機(jī)器的兩側(cè)，每側(cè)各4只(有UVA-340和UVB-313光源供用戶選擇配置)。參照標(biāo)準(zhǔn)GB/T14522-2008《中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)--機(jī)械工業(yè)產(chǎn)品用塑料、涂料、橡膠材料-人工氣候加速試驗(yàn)方法》GB/T16585-1996《中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)-硫化橡膠人工氣候老化(熒光紫外燈)試驗(yàn)方法》及GB/T16422.3-1997《塑料實(shí)驗(yàn)室光源暴露試驗(yàn)方法》等相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)條款設(shè)計(jì)制造。

: 半導(dǎo)體芯片高低溫試驗(yàn)箱

半導(dǎo)體芯片行業(yè)是目前國(guó)內(nèi)比較新興的行業(yè)，隨著芯片行業(yè)的要求越來(lái)越高，其測(cè)試難度也在不斷加強(qiáng)，為此，無(wú)錫冠亞推出了半導(dǎo)體芯片高低溫試驗(yàn)箱，那么，對(duì)于半導(dǎo)體芯片高低溫試驗(yàn)箱的發(fā)展背景大家了解多少呢~

: 可程式恒溫恒濕試驗(yàn)機(jī)的指標(biāo)設(shè)置

經(jīng)常有些客戶問(wèn)到關(guān)于可程式恒溫恒濕試驗(yàn)機(jī)的指標(biāo)是如何設(shè)置的，對(duì)此對(duì)可程式恒溫恒濕試驗(yàn)機(jī)指標(biāo)的設(shè)置提出以下的建議：可程式恒溫恒濕試驗(yàn)機(jī)溫度范圍。高溫：由于GB/T2423的等級(jí)125℃上是155℃，因此高溫定在150℃與130℃沒有區(qū)別。建議標(biāo)稱溫度為150℃，溫場(chǎng)測(cè)試指標(biāo)在125℃或130℃，溫場(chǎng)測(cè)試指標(biāo)在技術(shù)協(xié)議中體現(xiàn)，樣本上可不做說(shuō)明。