在IC芯片行業(yè)，溫度沖擊試驗(yàn)是評(píng)估IC產(chǎn)品中具有不同熱膨脹系數(shù)的金屬之間的界面的接觸良率。方法是通過(guò)循環(huán)流動(dòng)的液體從高溫到低溫重復(fù)變化。在快速溫度變化的過(guò)程中（比如日夜溫差，突然下雨，四季變化等），芯片會(huì)出現(xiàn)熱疲勞而失效，其能快速驗(yàn)證芯片封裝材料、制程工藝等瑕疵。常見失效模式是芯片分層，焊球斷裂，引腳疲勞拉斷等。
三箱式溫度沖擊試驗(yàn)箱相對(duì)于兩箱提籃式的特點(diǎn)就是樣品放在中間的腔室中不動(dòng)，高溫氣體在上面一個(gè)腔室中，低溫在下面腔室中。當(dāng)要進(jìn)行高溫沖擊時(shí)，機(jī)器會(huì)打開上面的閥門把預(yù)熱好的氣體灌入中間腔體。同樣，要進(jìn)行低溫沖擊時(shí)則會(huì)打開下面的閥門把低溫氣體引入中間腔體。整個(gè)高低溫循環(huán)的過(guò)程中，樣品在中間腔室是不動(dòng)的，對(duì)溫度的沖擊沒(méi)有兩箱式來(lái)的猛烈，換句話說(shuō)就是溫度沖擊相對(duì)比較溫柔。
測(cè)試條件:
Condition B：- 55℃ to 125℃
Condition C：- 65℃to 150℃
失效機(jī)制：電介質(zhì)的斷裂，材料的老化（如bond wires），導(dǎo)體機(jī)械變形
具體的測(cè)試條件和估算結(jié)果可參考以下標(biāo)準(zhǔn):
MIT-STD-883E Method 1011.9
JESD22-B106
EIAJED-4701-B-141
瑞凱環(huán)境最新產(chǎn)品
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